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- Artikelnummer:
- S1BHE3_A/I
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1A 100V 40A@8.3ms Single Die Auto
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division S1BHE3_A/I elektronische Komponenten. S1BHE3_A/I kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu S1BHE3_A/I haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
S1BHE3_A/I Produkteigenschaften
Artikelnummer :
S1BHE3_A/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package :
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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- MR7510-BP
- JAN1N6629US
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- 1N4935-TP
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- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
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- LL4448-GS08