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Microsemi Corporation - JAN1N4150UR-1

KEY Part #: K6427238

JAN1N4150UR-1 Preise (USD) [50084Stück Lager]

  • 1 pcs$1.35295
Artikelnummer:
JAN1N4150UR-1
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N4150UR-1 elektronische Komponenten. JAN1N4150UR-1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N4150UR-1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4150UR-1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N4150UR-1
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Serie : Military, MIL-PRF-19500/231
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AA
Supplier Device Package : DO-213AA
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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