Infineon Technologies - IKD06N60RAATMA2

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Artikelnummer:
IKD06N60RAATMA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 12A 100W TO252-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKD06N60RAATMA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IKD06N60RAATMA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT 600V 12A 100W TO252-3
Serie : TrenchStop®
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 18A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 6A
Leistung max : 100W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 12ns/127ns
Testbedingung : 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 68ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : PG-TO252-3