Taiwan Semiconductor Corporation - HERAF1006G C0G

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HERAF1006G C0G Preise (USD) [280423Stück Lager]

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Artikelnummer:
HERAF1006G C0G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - RF ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HERAF1006G C0G Produkteigenschaften

Artikelnummer : HERAF1006G C0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 80ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package : ITO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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