Vishay Semiconductor Diodes Division - LS4448GS18

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LS4448GS18 Preise (USD) [4461899Stück Lager]

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Artikelnummer:
LS4448GS18
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/150mA 2.0 Amp IFSM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LS4448GS18 Produkteigenschaften

Artikelnummer : LS4448GS18
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 75V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 8ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25nA @ 20V
Kapazität @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-80 Variant
Supplier Device Package : SOD-80 QuadroMELF
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)

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