BAL99E6327HTSA1 Preise (USD) [4027624Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BAL99E6327HTSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BAL99E6327HTSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BAL99E6327HTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Serie :
-
Teilestatus :
Last Time Buy
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 70V
Kapazität @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 150°C
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DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Heiße Teile
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A