IXFX80N50Q3 Preise (USD) [4186Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX80N50Q3
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX80N50Q3 elektronische Komponenten. IXFX80N50Q3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX80N50Q3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFX80N50Q3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX80N50Q3
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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