FQD9N25TM-F080 Preise (USD) [153274Stück Lager]
- 1 pcs$0.24131
- Artikelnummer:
- FQD9N25TM-F080
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQD9N25TM-F080 elektronische Komponenten. FQD9N25TM-F080 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQD9N25TM-F080 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQD9N25TM-F080 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQD9N25TM-F080
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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