IAUT300N10S5N015ATMA1 Preise (USD) [21947Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET75V120V.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IAUT300N10S5N015ATMA1 elektronische Komponenten. IAUT300N10S5N015ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IAUT300N10S5N015ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IAUT300N10S5N015ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IAUT300N10S5N015ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET75V120V
Serie :
OptiMOS™-5
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 275µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
216nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
16011pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-1
Paket / fall :
8-PowerSFN
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