SI6975DQ-T1-E3 Preise (USD) [72387Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI6975DQ-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI6975DQ-T1-E3 elektronische Komponenten. SI6975DQ-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI6975DQ-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI6975DQ-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI6975DQ-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 5mA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
830mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package :
8-TSSOP
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