Infineon Technologies - FS35R12W1T4BOMA1

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FS35R12W1T4BOMA1 Preise (USD) [2323Stück Lager]

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Artikelnummer:
FS35R12W1T4BOMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE 1200V 35A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS35R12W1T4BOMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FS35R12W1T4BOMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE 1200V 35A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 65A
Leistung max : 225W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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