Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT75LP120N

KEY Part #: K6533463

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    Artikelnummer:
    VS-GT75LP120N
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 1200V 150A 543W.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GT75LP120N Produkteigenschaften

    Artikelnummer : VS-GT75LP120N
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : IGBT 1200V 150A 543W
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : -
    Aufbau : Half Bridge
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 150A
    Leistung max : 543W
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 75A
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 5.52nF @ 25V
    Eingang : Standard
    NTC-Thermistor : No
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : INT-A-Pak
    Supplier Device Package : INT-A-PAK

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