FCP125N65S3 Preise (USD) [49832Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FCP125N65S3
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FCP125N65S3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCP125N65S3
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220
Serie :
SuperFET® III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1940pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
181W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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