FDS2672 Preise (USD) [111746Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDS2672
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS2672 elektronische Komponenten. FDS2672 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS2672 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDS2672 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDS2672
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
Serie :
UltraFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2535pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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