TK33S10N1Z,LQ Preise (USD) [146815Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK33S10N1Z,LQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TK33S10N1Z,LQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK33S10N1Z,LQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
33A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK+
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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