IPB50R250CPATMA1 Preise (USD) [1029Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB50R250CPATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 550V 13A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB50R250CPATMA1 elektronische Komponenten. IPB50R250CPATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB50R250CPATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB50R250CPATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB50R250CPATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
550V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 520µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1420pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
114W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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