IXYS - IXFB110N60P3

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IXFB110N60P3 Preise (USD) [5131Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFB110N60P3
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB110N60P3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFB110N60P3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Serie : HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 245nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1890W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS264™
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

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