Infineon Technologies - IPI70P04P409AKSA1

KEY Part #: K6401851

IPI70P04P409AKSA1 Preise (USD) [2908Stück Lager]

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Artikelnummer:
IPI70P04P409AKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH TO262-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI70P04P409AKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPI70P04P409AKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH TO262-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.4 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 120µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4810pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 75W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3-1
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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