Microsemi Corporation - APTC60AM35T1G

KEY Part #: K6522593

APTC60AM35T1G Preise (USD) [2098Stück Lager]

  • 1 pcs$20.63798
  • 100 pcs$20.08387

Artikelnummer:
APTC60AM35T1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC60AM35T1G elektronische Komponenten. APTC60AM35T1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC60AM35T1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60AM35T1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTC60AM35T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 72A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 5.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 518nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 25V
Leistung max : 416W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1