SI4931DY-T1-E3 Preise (USD) [195156Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4931DY-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3 elektronische Komponenten. SI4931DY-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4931DY-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4931DY-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4931DY-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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