IPG20N10S4L22AATMA1 Preise (USD) [116120Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1 elektronische Komponenten. IPG20N10S4L22AATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPG20N10S4L22AATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPG20N10S4L22AATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPG20N10S4L22AATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1755pF @ 25V
Leistung max :
60W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-10
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