Vishay Siliconix - SI1900DL-T1-E3

KEY Part #: K6524920

SI1900DL-T1-E3 Preise (USD) [398557Stück Lager]

  • 1 pcs$0.09280
  • 3,000 pcs$0.08766

Artikelnummer:
SI1900DL-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI1900DL-T1-E3 elektronische Komponenten. SI1900DL-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI1900DL-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1900DL-T1-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI1900DL-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 270mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)