GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-263

KEY Part #: K6399113

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Artikelnummer : GA10JT12-263

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : TRANS SJT 1200V 25A

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : -

Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 170W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : -

Paket / fall : -

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