SPI20N60C3XKSA1 Preise (USD) [269Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SPI20N60C3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPI20N60C3XKSA1 elektronische Komponenten. SPI20N60C3XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPI20N60C3XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPI20N60C3XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPI20N60C3XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
208W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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