FGA50N100BNTD2 Preise (USD) [11002Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FGA50N100BNTD2
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs and Dioden - Zener - Arrays ...
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FGA50N100BNTD2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FGA50N100BNTD2
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT and Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 60A
Leistung max :
156W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
257nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
34ns/243ns
Testbedingung :
600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package :
TO-3P
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