Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BYNB

KEY Part #: K7359666

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Artikelnummer:: K4B2G1646F-BYNB

Hersteller:: Samsung Semiconductor

Detaillierte Beschreibung:: 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Standardlieferzeit des Herstellers:: Auf Lager

Haltbarkeit:: Ein Jahr

Chip von:: Hongkong

RoHS:

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GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

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ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B2G1646F-BYNB Produkteigenschaften

Artikelnummer : K4B2G1646F-BYNB

Hersteller : Samsung Semiconductor

Beschreibung : 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Dichte : 2 Gb

Org. : 128M x 16

Geschwindigkeit : 2133 Mbps

Stromspannung : 1.35 V

Temp. : 0 ~ 85 °C

Paket : 96FBGA

Produckstatus : Mass Production

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