Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Zuhause
  2. Produkte
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BYNB

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BYNB

KEY Part #: K7359676

[27150Stück Lager]

    Artikelnummer:
    K4B4G0846D-BYNB
    Hersteller:
    Samsung Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: LPDDR3, GDDR6, LPDDR4X, LPDDR5, HBM Aquabolt, DDR4, GDDR5 and HBM Flarebolt ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BYNB elektronische Komponenten. K4B4G0846D-BYNB kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu K4B4G0846D-BYNB haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BYNB Produkteigenschaften

    Artikelnummer : K4B4G0846D-BYNB
    Hersteller : Samsung Semiconductor
    Beschreibung : 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Serie : DDR3
    Dichte : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    Geschwindigkeit : 2133 Mbps
    Stromspannung : 1.35 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paket : 78FBGA
    Produckstatus : Mass Production

    Neuesten Nachrichten

    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    How Will 5G Impact on Memory?
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Sie könnten auch interessiert sein an
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Heiße Teile