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Microsemi Corporation - JAN1N5550US

KEY Part #: K6442422

[3139Stück Lager]

    Artikelnummer:
    JAN1N5550US
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5550US elektronische Komponenten. JAN1N5550US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5550US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N5550US Produkteigenschaften

    Artikelnummer : JAN1N5550US
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 200V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SQ-MELF, B
    Supplier Device Package : D-5B
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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