Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4ESH02-M3/86A

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Artikelnummer:
VS-4ESH02-M3/86A
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4ESH02-M3/86A Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-4ESH02-M3/86A
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Serie : FRED Pt®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 930mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 20ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package : TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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