Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7

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Artikelnummer:
DMP58D0LFB-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP58D0LFB-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMP58D0LFB-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 27pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 470mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall : 3-UFDFN

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