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Microsemi Corporation - JAN1N5804

KEY Part #: K6427074

JAN1N5804 Preise (USD) [9593Stück Lager]

  • 1 pcs$4.29578
  • 120 pcs$3.76666
Artikelnummer:
JAN1N5804
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 100V HR
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5804 elektronische Komponenten. JAN1N5804 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5804 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5804 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5804
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 975mV @ 2.5A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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