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- Artikelnummer:
- FDMS86350ET80
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 80A POWER56.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDMS86350ET80 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS86350ET80
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Ta), 198A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8030pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Power56
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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