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- Artikelnummer:
- IDP09E120
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDP09E120 elektronische Komponenten. IDP09E120 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDP09E120 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IDP09E120 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDP09E120
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
23A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.15V @ 9A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
140ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2
Supplier Device Package :
PG-TO220-2-2
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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