STMicroelectronics - STB60NF06T4

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Artikelnummer:
STB60NF06T4
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STB60NF06T4 elektronische Komponenten. STB60NF06T4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STB60NF06T4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB60NF06T4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STB60NF06T4
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Serie : STripFET™ II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1810pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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