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Microsemi Corporation - JANTXV1N5416US

KEY Part #: K6433303

JANTXV1N5416US Preise (USD) [6017Stück Lager]

  • 1 pcs$7.61973
  • 109 pcs$7.58182
Artikelnummer:
JANTXV1N5416US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5416US elektronische Komponenten. JANTXV1N5416US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5416US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5416US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5416US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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