Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA16TB120SL-M3

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Artikelnummer:
VS-HFA16TB120SL-M3
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 16A IF (TO-263AB) 190A IFSM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA16TB120SL-M3 elektronische Komponenten. VS-HFA16TB120SL-M3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-HFA16TB120SL-M3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA16TB120SL-M3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-HFA16TB120SL-M3
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
Serie : HEXFRED®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 16A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.93V @ 32A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 135ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 20µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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