Microsemi Corporation - JAN1N6622US

KEY Part #: K6442405

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    Artikelnummer:
    JAN1N6622US
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A. Rectifiers Rectifier
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - JFETs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N6622US elektronische Komponenten. JAN1N6622US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N6622US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6622US Produkteigenschaften

    Artikelnummer : JAN1N6622US
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/585
    Teilestatus : Active
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 660V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.2A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.2A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 660V
    Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SQ-MELF, A
    Supplier Device Package : D-5A
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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