Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10M-4007E-M3/73

KEY Part #: K6446318

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    Artikelnummer:
    GP10M-4007E-M3/73
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP10M-4007E-M3/73 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : GP10M-4007E-M3/73
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 1A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 3µs
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 1000V
    Kapazität @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial
    Supplier Device Package : DO-204AL (DO-41)
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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