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Microsemi Corporation - JANTXV1N5806

KEY Part #: K6433650

JANTXV1N5806 Preise (USD) [6290Stück Lager]

  • 1 pcs$6.55167
  • 139 pcs$5.96654
Artikelnummer:
JANTXV1N5806
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HRV 2FFTV
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5806 elektronische Komponenten. JANTXV1N5806 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5806 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5806
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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