Infineon Technologies - IRFR3410TRPBF

KEY Part #: K6420471

IRFR3410TRPBF Preise (USD) [197006Stück Lager]

  • 1 pcs$0.18775
  • 2,000 pcs$0.17432

Artikelnummer:
IRFR3410TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFR3410TRPBF elektronische Komponenten. IRFR3410TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFR3410TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3410TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFR3410TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1690pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Sie könnten auch interessiert sein an