Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
-
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package :
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C