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IXYS-RF - IXFH12N100F

KEY Part #: K6393664

IXFH12N100F Preise (USD) [10296Stück Lager]

  • 1 pcs$4.00229
Artikelnummer:
IXFH12N100F
Hersteller:
IXYS-RF
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS-RF IXFH12N100F elektronische Komponenten. IXFH12N100F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH12N100F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N100F Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFH12N100F
Hersteller : IXYS-RF
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Serie : HiPerRF™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AD (IXFH)
Paket / fall : TO-3P-3 Full Pack

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