IPI60R385CPXKSA1 Preise (USD) [140Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI60R385CPXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - spezieller Zweck ...
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI60R385CPXKSA1 elektronische Komponenten. IPI60R385CPXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI60R385CPXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI60R385CPXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI60R385CPXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 340µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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