Artikelnummer :
CS8312YDR8
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Angetriebene Konfiguration :
Low-Side
Gate-Typ :
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
7V ~ 10V
Logikspannung - VIL, VIH :
-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
-
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC