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- Artikelnummer:
- AUIRLR120N
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies AUIRLR120N elektronische Komponenten. AUIRLR120N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AUIRLR120N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
AUIRLR120N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
AUIRLR120N
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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