ESH3DHE3_A/I Preise (USD) [286357Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ESH3DHE3_A/I
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB. Rectifiers 200V 3.0A 25ns Glass Passivated
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ESH3DHE3_A/I Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ESH3DHE3_A/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 3A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
40ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
70pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package :
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
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- 1PS59SB20,115
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- STPS2H100UF
- RU 2V1
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