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- Artikelnummer:
- FDB8896-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FDB8896-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB8896-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Ta), 93A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
67nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2525pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
80W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263AB
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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