Vishay Semiconductor Diodes Division - S3JHE3_A/H

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S3JHE3_A/H Preise (USD) [363076Stück Lager]

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Artikelnummer:
S3JHE3_A/H
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3A 600V 100A@8.3ms Single Die Auto
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3JHE3_A/H Produkteigenschaften

Artikelnummer : S3JHE3_A/H
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 2.5A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AB, SMC
Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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