FF23MR12W1M1B11BOMA1 Preise (USD) [959Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FF23MR12W1M1B11BOMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 20mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3950pF @ 800V
Leistung max :
20mW
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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