FDB8860 Preise (USD) [57061Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDB8860
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB8860 elektronische Komponenten. FDB8860 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB8860 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDB8860 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB8860
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
214nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12585pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
254W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263AB
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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